Infineon , 1 N型, N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 104 A, JEDEC TO-220AB, 通孔, 通孔安装, 3引脚, LogicFET系列, IRL2505PBF

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RS 库存编号:
913-3869
制造商零件编号:
IRL2505PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型, N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

104A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

LogicFET

安装类型

通孔, 通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

8mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

130nC

最大功耗 Pd

200W

最低工作温度

-55°C

晶体管配置

单

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

8.77mm

长度

10.54mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 LogicFET 系列 MOSFET，104A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRL2505PBF


这款 MOSFET 专为需要高效能量管理的高性能应用而设计。它的最大连续漏极电流为 104A，漏极-源极电压高达 55V，在市场上极具竞争力。其坚固的结构和先进的规格使其适用于各种自动化和电子应用。

特点和优势


• 8mΩ 的低导通电阻降低了发热量

• 最大功率耗散为 200 W，提高了性能

• 通孔安装方式更易于集成

• 闸门电荷要求低，提高了运行效率

• 增强模式设计确保了在挑战性条件下的性能

应用


• 电源开关 进行有效控制

• 用于调节速度和扭矩的电机驱动电路

• 需要高电流管理的自动化系统

• 保持稳定输出的电源和转换电路

• 增强功率处理能力的工业机械

使用的栅极阈值电压是多少？


栅极阈值电压介于 1V 和 2V 之间，为各种应用提供了灵活性。

温度对性能有何影响？


该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效运行，适合恶劣的环境条件。

它能处理脉冲电流操作吗？


是的，它可以管理高达 360A 的脉冲漏极电流，确保短时应用的可靠性。

漏极-源极之间的电压可以控制在什么水平？


它支持的最大电压为 55V，非常适合大多数通用应用。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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