Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 188-4915
- 制造商零件编号:
- SQJ208EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥12,945.00
(不含税)
¥14,628.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月20日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB4.315 | RMB12,945.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-4915
- 制造商零件编号:
- SQJ208EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.77V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4.47 mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 16mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.77V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
宽度 4.47 mm | ||
高度 1.01mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
汽车双 N 通道 40V (D-S) 175 ° C MOSFET 。
TrenchFET® 功率 MOSFET