Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQR40020ER_GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SQR40020ER_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.00233Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

正向电压 Vf

1.5V

最大功耗 Pd

107W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

9.65 mm

长度

10.41mm

高度

4.57mm

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

汽车 N 通道 40V (D-S) 175 ° C MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET

具有低热阻的封装

TOP 侧冷却的镀镍排放片区域(散热片)

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。