Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=4.3 A, 3针, TO-220, E系列

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RS 库存编号:
200-6806
制造商零件编号:
SiHA690N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

4.3A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-220

系列

E

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

700mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

29W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

10.3mm

标准/认证

No

宽度

4.7mm

高度

13.8mm

汽车标准

否

Vishay SiHA690N60E GE3 是 e 系列功率 mosfet 。

4th e 系列技术

低功耗

低有效电容

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级（ uis ）

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