STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1700 V, Id=7 A, 3针, Hip-247, SCT1000N170系列

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RS 库存编号:
212-2091
制造商零件编号:
SCT1000N170
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

1700V

包装类型

Hip-247

系列

SCT1000N170

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.66Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

96W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.3nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4.5V

最大栅源电压 Vgs

22V

最高工作温度

200°C

长度

15.75mm

高度

5.15mm

宽度

20.15mm

标准/认证

No

汽车标准

否

SiC MOSFET


STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。这使得每个装置区域具有卓越的接通电阻和非常好的切换性能、几乎不受温度影响。sic 材料的出色热性能与专有 HiP247 封装中的器件外壳相结合、使设计人员可以使用行业标准轮廓、并显著提高热性能。

高速切换性能

非常快速且坚固的固有主体二极管

低电容

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