Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.5 A, US, 表面安装, 6引脚, BSD214SNH6327XTSA1, OptiMOS 2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4333
制造商零件编号:
BSD214SNH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

1.5A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

OptiMOS 2

包装类型

US

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

0.5W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.8nC

最高工作温度

150°C

长度

2.02mm

高度

1mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon ® 4 号小型信号晶体管符合 aec Q101 标准。

n 通道

增强型模式

超级逻辑电平（ 2.5v 额定电压）

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