制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=0.39 A, 6针, US, BSD系列

RS 库存编号:: 250-0521
制造商零件编号:: BSD223PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=0.39 A, 6针, US, BSD系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB17.71

(不含税)

RMB20.01

(含税)

有库存

1,740 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
10 - 10	RMB1.771	RMB17.71
20 - 90	RMB1.682	RMB16.82
100 - 240	RMB1.60	RMB16.00
250 - 490	RMB1.519	RMB15.19
500 +	RMB1.44	RMB14.40

* 参考价格

RS 库存编号:: 250-0521
制造商零件编号:: BSD223PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	0.39A
	最大漏源电压 Vd	-20V
	系列	BSD
	包装类型	US
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	1.20Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	12V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	0.25W
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 0.39A
	最大漏源电压 Vd -20V
	系列 BSD
	包装类型 US
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 1.20Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 12V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 0.25W
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSD223PH6327XTSA1

Infineon 高度创新的 OptiMOS™ 系列包括带超级逻辑电平的增强模式 mosfet。它具有雪崩和 dv/dt 等级。它提供快速切换。该设备无铅和无卤。Vds 是 -20 V，Rds（on）是 1.2 Ω，ID 是 -0.39 A。

始终满足高质量和性能要求

具有出色的通态电阻和优势特性

相关链接