制造商编号

Infineon N型沟道双N型OptiMOS2小信号晶体管, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=0.88 A, 6针, US, BSD840N系列

RS 库存编号:: 250-0526
制造商零件编号:: BSD840NH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道双N型OptiMOS2小信号晶体管, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=0.88 A, 6针, US, BSD840N系列

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RS 库存编号:: 250-0526
制造商零件编号:: BSD840NH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	OptiMOS2小信号晶体管
	最大连续漏极电流 Id	0.88A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	US
	系列	BSD840N
	安装类型	表面安装
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	400mΩ
	通道模式	双N
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	400mW
	正向电压 Vf	1.1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.26nC
	最大栅源电压 Vgs	0.75V
	晶体管配置	双N
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, RoHS
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 OptiMOS2小信号晶体管
	最大连续漏极电流 Id 0.88A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 US
	系列 BSD840N
	安装类型表面安装
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 400mΩ
	通道模式双N
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 400mW
	正向电压 Vf 1.1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.26nC
	最大栅源电压 Vgs 0.75V
	晶体管配置双N
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSD840NH6327XTSA1

Infineon 小信号 N 沟道产品适用于汽车应用。此器件是 OptiMOS 2 小信号晶体管。双 N 沟道型增强模式。该器件提供超逻辑电平（额定电压为1.8V）且为雪崩等级。

增强模式和无铅镀层

Vds为20V，Id为0.88A

Infineon N型沟道双N型OptiMOS2小信号晶体管, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=0.88 A, 6针, US, BSD840N系列

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