Infineon N沟道增强型功率晶体管, 2个元件/芯片, Vds=100 V, Id=16 A, 8针, TDSON, OptiMOS-T2系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 5000 件）*

RMB17,280.00

(不含税)

RMB19,525.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年6月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
5000 - 20000RMB3.456RMB17,280.00
25000 +RMB3.387RMB16,935.00

* 参考价格

RS 库存编号:
214-9057
制造商零件编号:
IPG16N10S461AATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

功率晶体管

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS-T2

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

61mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

29W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.4nC

最高工作温度

175°C

晶体管配置

双

高度

1mm

宽度

5.9mm

标准/认证

RoHS

长度

5.15mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。双 n 通道正常电平 - 增强模式可用于自动光学检测（ oi ）。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品旨在满足甚至超出能效和功率密度要求。

产品符合 aec Q101 标准

100% 雪崩测试

它具有 175°c 工作温度

相关链接