Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=23.8 A, 3针, TO-220, CoolMOS P6系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-9093
制造商零件编号:
IPP60R160P6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

23.8A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS P6

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

160mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44nC

最大功耗 Pd

176W

高度

9.45mm

长度

10.36mm

标准/认证

No

宽度

4.57mm

汽车标准

否

the Infineon coolmos 系列是一项革命性的高电压功率功率功率式功率半导体技术、它根据超接点（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos P6 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。

易于使用 / 驱动

符合 dec 标准、适用于工业级应用 （ j － STD20 和 JESD22 ）

非常高的换向坚固性

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