Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 3针, TO-247, CoolMOS C7系列

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RS 库存编号:
214-9116
制造商零件编号:
IPW60R180C7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

CoolMOS C7

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

68W

高度

21.1mm

标准/认证

No

长度

16.13mm

宽度

5.21mm

汽车标准

否

the Infineon coolmos C7 是一项革命性技术、适用于高电压功率功率的高功率功率功率、设计符合超接线（ sj ）原理、并由 Infineon 技术开创。600V coolmos C7 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。它们适用于硬切换和软切换功能。适用于服务器、电信和太阳能等应用。

适用于硬切换和软切换

符合 dec 标准、适用于工业级应用

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