onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=139 A, 3针, TO-263, NTB5D0N系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB162.66

(不含税)

RMB183.81

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 760 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 195RMB32.532RMB162.66
200 - 395RMB32.208RMB161.04
400 +RMB30.598RMB152.99

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
221-6694
制造商零件编号:
NTB5D0N15MC
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

139A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

NTB5D0N

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

214W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

75nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

4.83mm

长度

10.67mm

高度

15.88mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

on ON Semiconductor 150V 功率 mosfet−139 a 的漏极电流、与单 n μ a 通道一起使用。它采用 Advanced power trench 工艺生产、该工艺采用屏蔽栅极技术。它具有行业最低的 qrr 和软测试主体二极管、用于提供卓越的低噪声切换。

vgs @ 10V 时最大 rds （接通） 5.0 m

比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%

降低切换噪声/EMI

100% uil 测试

相关链接