onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 101 A, TO-263, 表面安装, 4引脚, NTB7D3N15MC, NTB7D系列

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RS 库存编号:
230-9081
制造商零件编号:
NTB7D3N15MC
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

101A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

NTB7D

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

73mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

166W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

53nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

高度

15.88mm

宽度

4.83 mm

汽车标准

ON Semiconductor MOSFET - N 通道屏蔽栅极功率沟道 MOSFET ,具有 150 V 的漏极至源电压

优化的切换性能

VGS = mΩ V , ID = 62A 时,最大 RDS (接通) = 7.3 m Ω

业内最低的 Qrr 和最柔软的主体二极管,可实现卓越的低噪声切换

Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%

高效率,具有更低的切换峰值和 EMI

降低切换噪声/EMI

改进的切换 FOM ,尤其是 Qgd

经过 100% UIL 测试

无需或更少的减震器