Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=50 A, 3针, TO-263, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4650
- 制造商零件编号:
- IPB60R040C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 1000 件）*
RMB48,290.00
(不含税)
RMB54,570.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年2月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB48.29 | RMB48,290.00 |
| 5000 + | RMB47.325 | RMB47,325.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4650
- 制造商零件编号:
- IPB60R040C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 设计是一 C7 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，符合超级连接（ sj ）原理，由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
适用于硬切换和软切换（ pfc 和高性能 llc ）、将 mosfet dv/dt 坚固性提高到 120V / ns
由于同类最佳 fom rds （接通） * eoss 和 rds （接通） * qg 、提高了效率
同类最佳 rds （接通） / 封装
相关链接
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB60R040C7ATMA1, CoolMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 31 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 31.2 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB65R095C7ATMA2, CoolMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 31 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB60R099P7ATMA1, CoolMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 151 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 23.8 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P6系列