Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 46 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB65R系列
- RS 库存编号:
- 222-4896
- 制造商零件编号:
- IPB65R045C7ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4896
- 制造商零件编号:
- IPB65R045C7ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 46A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | IPB65R | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 46A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 IPB65R | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos ™ C7 超结 mosfet 系列是一款革命性的技术进步，可提供世界上最低的 rds （接通） / 封装，并得益于其低切换损耗，在整个负载范围内效率得到了提高。
改进的安全裕度、适用于开关电源和太阳能逆变器应用
最低传导损耗 / 封装
低切换损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度
卓越的 coolmos ™