Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=26 A, 3针, TO-220, IPP60R系列

RS 库存编号:: 222-4928
制造商零件编号:: IPP60R120P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=26 A, 3针, TO-220, IPP60R系列

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RS 库存编号:: 222-4928
制造商零件编号:: IPP60R120P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	26A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	IPP60R
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	120mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	95W
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.57mm
	高度	9.45mm
	长度	10.36mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 26A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 IPP60R
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 120mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 95W
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.57mm
	高度 9.45mm
	长度 10.36mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPP60R120P7XKSA1

Infineon IPP60R 系列 MOSFET,600V 最大漏源电压,26A 最大连续漏电流 - IPP60R120P7XKSA1

这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为需要高电压容差和高热范围的功率控制应用而设计。它作为通孔 TO-220 封装的 N 通道增强装置运行,适用于在严苛温度环境中需要稳健栅极驱动和显著连续电流处理的电路设计。

特性和优点：

• 600 V 漏源电压可实现高压切换能力
• 120 mΩ RDS(on) 可减少传导损耗，从而提高效率
• 26 A 连续漏电流支持大负载电流
• 36 nC 典型栅极电荷,可轻松调整栅极驱动尺寸,实现更快的切换速度
• 95W 最大功耗,支持高功率运行
• 工作温度范围为 -55°C 至 150°C,支持宽泛的热环境

应用

• 适用于高压 SMPS 初级开关级别
• 适用于需要通孔安装的电机驱动半桥电路
• 与工业逆变器配合使用,可处理高电压
• 可用于工作台设备中的开关模式电源转换
• 适用于需要强大的耐热性能的电源

推荐驱动电路的最大栅极电压是多少?

该设备可接受高达 20 V 的栅极-源电压,因此应选择栅极驱动器以保持在此限值范围内。

封装选择对安装和热管理有何影响?

TO-220通孔封装便于散热和简化PCB安装,从而提高散热效果。

在重负载下可预期的传导性能是什么?

RDS(接通)高达 120 mΩ,连续漏电流为 26 A,传导损耗可量化,用于热设计计算。

开关损耗在设计中应如何考虑?

使用 36 nC 的典型栅极电荷计算每次开关事件的驱动器能量,并在计算与电压相关的开关损耗时包括 600 V 额定值。