Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 75 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, IPT60R028G7XTMA1, IPT60R系列
- RS 库存编号:
- 222-4938
- 制造商零件编号:
- IPT60R028G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4938
- 制造商零件编号:
- IPT60R028G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 系列 | IPT60R | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 123nC | |
| 最大功耗 Pd | 391W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 HSOF | ||
系列 IPT60R | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 123nC | ||
最大功耗 Pd 391W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.1mm | ||
高度 2.4mm | ||
宽度 10.58 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos ™ C7 金色超结 mosfet 系列（ G7 ）将 600V coolmos ™ C7 金色技术的改进优势结合在一起， 4pin kelvin 源容量和 to 无铅（ toll ）封装改进的热特性、为高达 3kW 的功率因数校正（ pfc ）等高电流硬切换拓扑以及高端 llc 等谐振电路提供了可能的 smd 解决方案。
提供杰出的 fom r ds （ on ） xe oss 和 r ds （ on ） xq
在最小的占地面积内实现杰出的 r ds （ on