Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=600 V, Id=70 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

RS 库存编号:: 349-258
制造商零件编号:: IPT60R037CM8XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=600 V, Id=70 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

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RS 库存编号:: 349-258
制造商零件编号:: IPT60R037CM8XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id	70A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PG-HSOF-8
	系列	IPT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	37mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	79nC
	最大功耗 Pd	390W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id 70A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PG-HSOF-8
	系列 IPT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 37mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79nC
	最大功耗 Pd 390W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准否

Datasheet - IPT60R037CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPT 系列功率晶体管，最大漏源电压 600V，最大连续漏极电流 70A - IPT60R037CM8XTMA1

这款功率晶体管是一款高压N沟道MOSFET，专为工业开关和电源转换应用而设计。它可在宽环境范围内运行，适用于需要强大电流处理能力和较高电压耐受性的表面贴装组件。该器件适用于工业级JEDEC应用，适合需要高散热和可靠栅极控制的环境。

特性和优点：

• 600V额定值，适用于高压开关应用
• 70A的连续漏极电流支持重载处理
• 37mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 390W最大功耗提供散热余量
• 典型栅极电荷为79nC，兼顾驱动和开关速度
• ±20V 栅极耐压简化了栅极驱动设计

应用

• 适用于工业电机驱动变频器级应用
• 适用于高压电源和转换器
• 用于可再生能源变频器的桥式拓扑结构
• 可用于硬开关工业电源模块
• 适用于大电流DC-DC转换级应用

它在运行过程中能承受多大的温度范围？

其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可适应恶劣的热环境和高架应用。

该设备是如何包装以便组装的？

它以8针PG-HSOF-8表面贴装封装形式提供，适用于PCB回流焊安装和紧凑型电路板布局。

哪些栅极和沟道特性会影响驱动电路？

该N沟道增强型器件的典型栅极电荷为79nC，最大栅源电压额定值为20V，这些信息有助于栅极驱动器的选型及确定保护裕量。

正向电压对开关性能有何影响？

0.9V 的正向电压有助于实现快速导通特性，并且在器件选型时是计算总导通损耗的一个考量因素。