Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=142 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

RS 库存编号:: 349-256
制造商零件编号:: IPT60R016CM8XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=142 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

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制造商零件编号:: IPT60R016CM8XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	142A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PG-HSOF-8
	系列	IPT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	16mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	694W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	171nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 142A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PG-HSOF-8
	系列 IPT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 16mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 694W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 171nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC
	汽车标准否

Datasheet - IPT60R016CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPT系列功率MOSFET，600V漏源电压，142A最大连续漏极电流 - IPT60R016CM8XTMA1

这款功率MOSFET是一款高压N沟道增强型器件，专为严苛电子系统中的开关和电源转换应用而设计。它可在宽环境温度范围内工作，并采用紧凑型表面贴装封装，便于在需要稳健散热和大电流处理能力的密集电路板上集成。

特性和优点：

• 600V额定值，适用于高压开关应用
• 16mΩ导通电阻，可降低重载期间的导通损耗
• 142A 持续电流支持大电流功率级应用
• 典型栅极电荷为171nC，可实现更快的栅极驱动转换
• 694W的最大功耗有助于热裕量规划
• 30V栅极耐受能力，支持灵活的栅极驱动电压

应用

• 适用于工业电机变频器级应用
• 适用于高压电源和转换器
• 用于谐振和硬开关型SMPS拓扑结构
• 可用于牵引和重型DC-DC系统
• 适用于板级配电和开关控制

它在PCB组装中使用哪种封装和贴装方式？

它采用 PG-HSOF-8 封装，适用于表面贴装，以便于自动化组装和将热量传导至电路板。

它在极端温度条件下的表现如何？

该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可支持在宽温度波动环境中运行的应用。

在设计过程中应遵守哪些栅极电压限制？

栅源电压不得超过 30V，以防止栅极介质承受应力。

它是否符合任何行业测试标准？

它符合 JEDEC 半导体认证和处理标准。