Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 5.4 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, Si3129DV-T1-GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
228-2817
制造商零件编号:
Si3129DV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.4A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TSOP

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

82.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

4.2W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12nC

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET P 通道功率 MOSFET 用于便携式和消费型负载开关以及直流 / 直流转换器的电源管理。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试