Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=114 A, 4针, SO-8, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2957
制造商零件编号:
SQJ152EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

114A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

5.1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最大功耗 Pd

136W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 汽车 N 通道是 40 V 功率 MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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