Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=200 A, 7针, TO-263, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
228-2981
制造商零件编号:
SUM40014M-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

0.99mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.72V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

182nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay N 通道 40 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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