制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=150 A, 7针, TO-263, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 228-2985
制造商零件编号:: SUM70030M-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=150 A, 7针, TO-263, TrenchFET系列

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单位	每单位	每包*
2 - 8	RMB39.445	RMB78.89
10 - 48	RMB38.46	RMB76.92
50 - 98	RMB37.50	RMB75.00
100 - 248	RMB36.57	RMB73.14
250 +	RMB35.66	RMB71.32

* 参考价格

RS 库存编号:: 228-2985
制造商零件编号:: SUM70030M-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	150A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	3.5mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	375W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	142.4nC
	正向电压 Vf	0.8V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 150A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 375W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 142.4nC
	正向电压 Vf 0.8V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SUM70030M-GE3

Vishay N 通道 100 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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