Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 150 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, SUM70030M-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2985
- 制造商零件编号:
- SUM70030M-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB29.78 | RMB59.56 |
| 10 - 48 | RMB29.035 | RMB58.07 |
| 50 - 98 | RMB28.31 | RMB56.62 |
| 100 - 248 | RMB27.61 | RMB55.22 |
| 250 + | RMB26.925 | RMB53.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2985
- 制造商零件编号:
- SUM70030M-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 142.4nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 142.4nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay N 通道 100 V (D-S) MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试