Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 13 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, AUIRFR6215TRL, AUIRF系列
- RS 库存编号:
- 229-1744
- 制造商零件编号:
- AUIRFR6215TRL
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB19.494 | RMB97.47 |
| 10 - 95 | RMB19.008 | RMB95.04 |
| 100 - 245 | RMB18.53 | RMB92.65 |
| 250 - 495 | RMB18.066 | RMB90.33 |
| 500 + | RMB17.612 | RMB88.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1744
- 制造商零件编号:
- AUIRFR6215TRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | AUIRF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 295mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 66nC | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 6.73 mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 AUIRF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 295mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.22mm | ||
宽度 6.73 mm | ||
高度 2.39mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 单 p 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 D 封装，允许重复雪崩高达 Tjmax。 它具有快速切换速度和无铅。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准
它具有 175°C 工作温度