Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 43 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 244-2876
- 制造商零件编号:
- AUIRFR3806TRL
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB8.557 | RMB25,671.00 |
| 6000 - 6000 | RMB8.386 | RMB25,158.00 |
| 9000 + | RMB8.135 | RMB24,405.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2876
- 制造商零件编号:
- AUIRFR3806TRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 43 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 43 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon AUIRFR2905ZTRL 专门设计用于汽车应用，此 HEXFET® 功率 MOSFET 利用最新处理技术实现每硅区域极低接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 接点工作温度，快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合，使此设计成为非常高效和可靠的设备，适用于汽车应用和广泛的其他应用。
先进的工艺技术
超低接通电阻
动态 DV/dT 额定值
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅，符合 RoHS 标准
汽车认证 *
超低接通电阻
动态 DV/dT 额定值
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅，符合 RoHS 标准
汽车认证 *