STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=90 V, 5针, LBB, RF3L系列
- RS 库存编号:
- 230-0089
- 制造商零件编号:
- RF3L05250CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 230-0089
- 制造商零件编号:
- RF3L05250CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 工作频率 | 650MHz | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大漏源电压 Vd | 90V | |
| 包装类型 | LBB | |
| 系列 | RF3L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 4.85mm | |
| 长度 | 28.95mm | |
| 宽度 | 16.51mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 典型功率增益 | 18dB | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
工作频率 650MHz | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大漏源电压 Vd 90V | ||
包装类型 LBB | ||
系列 RF3L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
最高工作温度 200°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 4.85mm | ||
长度 28.95mm | ||
宽度 16.51mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
典型功率增益 18dB | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics RF3L05250CB4 是 250 W 28/32 V LDMOS FET ，设计用于高频至 1 GHz 频率的宽带通信和 ISM 应用。它可在 AB/B/C 类中用于所有典型调制格式。
高效率和线性增益操作
集成式防静电装置
较大的正负栅极 / 源电压范围，用于改进 C 类操作
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