onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 62 A, TO-247, 表面安装, 4引脚, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 230-9084
- 制造商零件编号:
- NTH4LN040N65S3H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | RMB70.143 | RMB31,564.35 |
| 900 - 4050 | RMB68.741 | RMB30,933.45 |
| 4500 + | RMB67.366 | RMB30,314.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9084
- 制造商零件编号:
- NTH4LN040N65S3H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 62A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 132nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 379W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 高度 | 13.28mm | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 62A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 SUPERFET III | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 132nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 379W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.2mm | ||
高度 13.28mm | ||
宽度 2.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor−SUPERFET III MOSFET 是新的高电压−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于有效减少各种电源系统并提高系统效率。
经过 100% 雪崩测试
符合 RoHS
典型值 RDS (接通) = 32 mΩ m Ω
内部栅极电阻： 0.7 Ω
超低栅极电荷 (典型值 QG = 132 nC)
TJ = 150 oC 时为 700 V