STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 28 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, STB37N60DM2AG, STB37N60系列
- RS 库存编号:
- 233-3039
- 制造商零件编号:
- STB37N60DM2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 233-3039
- 制造商零件编号:
- STB37N60DM2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 28A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | STB37N60 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 94mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 210W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 长度 | 15.85mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 28A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 STB37N60 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 94mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 210W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.6mm | ||
长度 15.85mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
宽度 10.4 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 是 MDmesh ™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它提供极低的恢复电荷 (Qrr) 和时间 (TRR) ，结合低 RDS (接通) ，使其适用于严苛的高效转换器，特别适用于桥接拓扑和 ZVS 相移转换器。
设计用于汽车应用，符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低接通电阻
通过 100% 雪崩测试
极高 dv/dt 坚固性
提供齐纳保护