STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 3针, TO-263, STB系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB114.28

(不含税)

RMB129.14

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年2月05日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 245RMB22.856RMB114.28
250 - 495RMB22.166RMB110.83
500 +RMB21.50RMB107.50

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
192-4936
制造商零件编号:
STB18N60M6
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

STB

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

25V

最大功耗 Pd

110W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.8nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

9.35mm

高度

4.37mm

长度

10.4mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
新型 MDmesh M6 技术融合了著名的整合式 Mdmesh 系列 SJ MOSFET 的最新进步。STMicroelectronics 通过其全新 M6 技术构建了上一代 MDMESH 设备、该技术将出色的 RDS （接通）每个区域改进与最有效的交换行为之一结合在一起、并提供用户友好的体验、以实现最大的最终应用效率。

减少切换损耗

与上一代相比、每个区域的 RDS （接通）更低

低浇口输入电阻

提供齐纳保护

相关链接