ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 7 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, R6507END3TL1
- RS 库存编号:
- 235-2686
- 制造商零件编号:
- R6507END3TL1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB17.788 | RMB88.94 |
| 50 - 95 | RMB17.466 | RMB87.33 |
| 100 - 245 | RMB17.152 | RMB85.76 |
| 250 - 995 | RMB16.85 | RMB84.25 |
| 1000 + | RMB16.546 | RMB82.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-2686
- 制造商零件编号:
- R6507END3TL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 665mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 10.4mm | |
| 长度 | 6.4mm | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 665mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 10.4mm | ||
长度 6.4mm | ||
宽度 2.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM R6xxxENx 系列是低噪声产品，超结 MOSFET ，注重易用性。此系列产品可在噪声敏感应用中实现卓越的性能，以减少噪声，如音频和照明设备。
低接通电阻
快速切换速度
易于并行使用
无铅电镀
符合 RoHS