ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, R6509END3TL1

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235-2689
制造商零件编号:
R6509END3TL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

585mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

94W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

6.4mm

宽度

2.4 mm

高度

10.4mm

标准/认证

No

汽车标准

ROHM R6xxxENx 系列是低噪声产品,超结 MOSFET ,注重易用性。此系列产品可在噪声敏感应用中实现卓越的性能,以减少噪声,如音频和照明设备。

低接通电阻

快速切换速度

易于并行使用

无铅电镀

符合 RoHS