Toshiba N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 300 mA, US6, 表面安装, 6引脚, SSM6N7002KFU,LF(T
- RS 库存编号:
- 236-3582
- 制造商零件编号:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- 制造商:
- Toshiba
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3582
- 制造商零件编号:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | US6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -0.79V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 300mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 US6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -0.79V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.39nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.9mm | ||
长度 2.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Toshiba 场效应晶体管由硅材料制成，具有 N 沟道 MOS 型。它主要用于高速切换应用。
存储温度范围 −55 至 150 °C