Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS®系列

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RS 库存编号:
236-4397
制造商零件编号:
BSS126IXTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

21mA

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SIPMOS®

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

700Ω

通道模式

耗尽

最大功耗 Pd

0.5W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.4nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.4mm

高度

1.1mm

长度

3mm

汽车标准

否

英飞凌 600V N 沟道小信号耗尽型 MOSFET 采用无铅镀层，RoHS 合规、满足 IEC61249-2-21 的无卤素要求。完全符合 JEDEC 工业应用标准。工业标准资质级别。

系统可靠性高

环保

PCB 空间与节省成本的

额定 dv/dt

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