Vishay N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=52.1 A, 8针, PowerPAK SO-8, SiR系列

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RS 库存编号:
239-5384
制造商零件编号:
SiR4602LDP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

52.1A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

SiR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0088Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.1nC

最大功耗 Pd

43W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

这款 Vishay TrenchFET N 沟道功率 MOSFET 的漏极电流为 52.1 A，用于同步整流、初级侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关。

极低的 RDS x Qg 品质因数（FOM）

经过调谐，适合最低的 RDS x Qoss FOM

100 % Rg 和 UIS 测试

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