Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 210 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 8引脚, SQJ182EP-T1_GE3, SQJ系列

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239-5408
制造商零件编号:
SQJ182EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

210A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPAK SO-8L

系列

SQJ

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.005Ω

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

64nC

最大功耗 Pd

395W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101, RoHS

长度

6.15mm

宽度

4.9 mm

汽车标准

AEC-Q101

这款 Vishay N 沟道 MOSFET 的漏极电流为 210 A。

AEC-Q101 认证

100 % Rg 和 UIS 测试

Qgd/Qgs 比率 < 1 优化开关特性