Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SiHA186N60EF-GE3, EF系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥68.71

(不含税)

¥77.64

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 960 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 10RMB13.742RMB68.71
15 - 20RMB13.332RMB66.66
25 +RMB13.066RMB65.33

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
210-4963
制造商零件编号:
SiHA186N60EF-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

EF

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

168mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最大功耗 Pd

33W

最高工作温度

150°C

宽度

9.7 mm

标准/认证

No

长度

28.1mm

高度

4.3mm

汽车标准

Vishay ef 系列功率 mosfet 、快速体二极管、薄型引线 to 220 fullpak 封装类型。

4th e 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容( co ( er ))

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级( uis )