Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=30 V, 410 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ170ELP-T1_GE3

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制造商零件编号:
SQJ170ELP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

410A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.02Ω

通道模式

消耗

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

最大功耗 Pd

255W

最高工作温度

125°C

宽度

4.9 mm

长度

6.15mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQJ 是汽车 N 通道 MOSFET,可在 60 V 和 175 °C 温度下工作,采用 PowerPAK 封装。此 MOSFET 用于高功率密度。

AEC-Q101 认证

UIS 测试