Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 44 A, PQFN 2 x 2, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 240-6378
- 制造商零件编号:
- ISK036N03LM5
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-6378
- 制造商零件编号:
- ISK036N03LM5
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PQFN 2 x 2 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PQFN 2 x 2 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon OptiMOS ™ 5 mΩ MOSFET 30 V ， 3.6 M Ω ，采用 PQFN 2x2 封装的最小外形尺寸。凭借全新的 BIC OptiMOS ™ 5 in 25V 和 30V 产品系列， Infineon 以小巧的外形提供了一流的效率解决方案，使其成为无线充电，负载开关和低功率直流 / 直流应用等应用的理想解决方案。小型 4 mm2 封装尺寸 PQFN 2x2 mΩ ，结合卓越的 电气性能，有助于改善终端应用中的外形尺寸，具有 3.6 μ m 的低 RDS 接通。
经过优化，可实现最高性能和功率密度
通过 100% 雪崩测试
卓越的热阻，用于 2x2 封装
N 通道
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
通过 100% 雪崩测试
卓越的热阻，用于 2x2 封装
N 通道
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准