Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, IAUC100N04S6L014ATMA1, IAUC系列
- RS 库存编号:
- 241-9685
- 制造商零件编号:
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB6.032 | RMB30.16 |
| 10 - 95 | RMB5.886 | RMB29.43 |
| 100 - 245 | RMB5.746 | RMB28.73 |
| 250 - 495 | RMB5.606 | RMB28.03 |
| 500 + | RMB5.472 | RMB27.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9685
- 制造商零件编号:
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 系列 | IAUC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
系列 IAUC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 OptiMOS™ 6 N 沟道汽车 MOSFET 具有 40 V 漏源电压（VDS）和 100 A 漏电流（ID）。5 x 6 mm² SS08 无引线封装中采用 MOS 技术，具有最高质量水平和坚固性，适用于汽车应用。
OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFET
N 通道 - 增强模式
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试