Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, PQFN, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 241-9702
- 制造商零件编号:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9702
- 制造商零件编号:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 212A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 212A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSZ系列MOSFET,40V最大漏源电压,212A最大连续漏电流 - BSZ024N04LS6ATMA1
这款 MOSFET 是一款硅基 N 通道开关设备,专为表面贴装组件中的高电流功率应用而设计。它能在宽温度范围内运行,适用于需要低传导损耗和稳健栅极处理的应用场景。
特性和优点:
• 0.7mΩ Rds(on) 可减少传导损耗,实现高效运行
• 212A 持续漏极电流,支持大电流负载
• 40V 漏源额定值可实现低电压功率级
• 81W 功耗可在高负载期间管理热应力
• 80nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• 20V 栅极-源极限提供定义的栅极保护空间
• 212A 持续漏极电流,支持大电流负载
• 40V 漏源额定值可实现低电压功率级
• 81W 功耗可在高负载期间管理热应力
• 80nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• 20V 栅极-源极限提供定义的栅极保护空间
应用
• 适用于需要高连续电流的电机驱动器级
• 特别适用于直流-直流转换器初级或同步级
• 与工业驱动系统中的电力电子设备配合使用
• 可用于电池管理中的高电流切换
• 适用于需要紧凑型PQFN封装的表面贴装组件
• 特别适用于直流-直流转换器初级或同步级
• 与工业驱动系统中的电力电子设备配合使用
• 可用于电池管理中的高电流切换
• 适用于需要紧凑型PQFN封装的表面贴装组件
热敏和PCB安装使用哪种封装类型?
它采用PQFN封装,针对表面安装和传热进行了优化。
它在运行期间能承受的环境温度范围是多少?
它可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内工作,适用于广泛的部署场景。
该设备如何满足栅极驱动要求?
该栅极需要与 80nC 典型栅极电荷兼容的驱动,且不得超过 20V Vgs 限制。
该设备是否符合常规电子材料指令?
它符合限制特定危险物质的 RoHS 要求。
该封装在 PCB 布局中提供多少电气连接?
该设备随附 8 针配置,用于路由和热接地设计。
相关链接
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