Infineon P沟道MOS管, Vds=55v, 3.4 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 243-9284
- 制造商零件编号:
- AUIRF7342QTR
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-9284
- 制造商零件编号:
- AUIRF7342QTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.4 A | |
| 最大漏源电压 | 55v | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.4 A | ||
最大漏源电压 55v | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon AUIRF7342QTR N 通道功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，这款 HEXFET® 功率 MOSFET 的蜂窝设计采用最新的加工技术，可在每块硅区域上实现低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速切换和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员在汽车和各种其他应用中带来了一款超高效和可靠的器件。
高级平面工艺技术
低导通电阻
逻辑电平门驱动
双 P 通道 MOSFET
动态的 dv/dt 额定值
150°C 工作温度
快速切换
高雪崩耐量
不含铅，符合 RoHS 标准
低导通电阻
逻辑电平门驱动
双 P 通道 MOSFET
动态的 dv/dt 额定值
150°C 工作温度
快速切换
高雪崩耐量
不含铅，符合 RoHS 标准