制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=40 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, IPZ系列

RS 库存编号:: 243-9320
制造商零件编号:: IPZ40N04S5L7R4ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=40 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, IPZ系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 卷，共 5000 件）*

RMB12,220.00

(不含税)

RMB13,810.00

(含税)

暂时缺货

在 2027年5月24日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每卷*
5000 - 5000	RMB2.444	RMB12,220.00
10000 - 10000	RMB2.395	RMB11,975.00
15000 +	RMB2.323	RMB11,615.00

* 参考价格

RS 库存编号:: 243-9320
制造商零件编号:: IPZ40N04S5L7R4ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	IPZ
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.4mΩ
	正向电压 Vf	1.1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 IPZ
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ
	正向电压 Vf 1.1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon 提供的此款 MOSFET 是一款针对汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET，采用 N 通道增强模式逻辑电平并且经 AEC Q101 认证。

N 通道

通过 100% 雪崩测试

经 AEC Q101 认证

MSL1 高达 260°C 的峰值回流温度

工作温度 175°C

节能产品（符合 RoHS 标准）

相关链接