Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=400 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

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包装方式:
RS 库存编号:
244-0909
制造商零件编号:
IPT60R040S7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

400A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSOF-8

系列

IPT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IPT60R040S7 对于低频开关应用来说具有最佳性价比。CoolMOS™S7 拥有 HV SJ MOSFET 的最低 Rdson 值,明显地提高了能源效率。

CoolMOS™ S7 技术可在最小的空间上实现 22mΩ RDS(导通)

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