Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=17 A, 3针, TO-252, AUIRFS系列

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RS 库存编号:
244-2882
制造商零件编号:
AUIRLR3410TRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

17A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

AUIRFS

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon AUIRLR3410TRL 专门设计用于汽车应用, HEXFET® 功率 MOSFET 的这种条纹平面设计利用最新处理技术实现每硅区域低接通电阻。此优势结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名 的快速切换速度和耐震设备设计,为设计人员提供极其高效和可靠的设备,适用于汽车和各种其他应用。

先进的平面技术

低接通电阻

逻辑电平栅极驱动

动态 DV/dT 额定值

175°C 工作温度

快速切换

完全雪崩等级

重复雪崩允许高达 Tjmax

无铅,符合 RoHS 标准

汽车认证 *

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