Infineon N沟道MOS管, Vds=800 V, 11 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 244-8550
- 制造商零件编号:
- IPD80R450P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB7.00 | RMB17,500.00 |
| 5000 - 5000 | RMB6.86 | RMB17,150.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-8550
- 制造商零件编号:
- IPD80R450P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon MOSFET 800V CoolMOS P7 系列在 800V 超级接线技术方面建立了新的基准，并将杰出 性能与先进的 易用性相结合，这是 Infineon 18 年来一直在领先的超级接线技术创新所促成的。
杰出 FOM RDS (接通) Eoss
杰出 DPAK RDS (接通)
杰出 V (GS) th 为 3V
完全优化的产品组合
集成齐纳二极管 ESD 保护
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