Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD80R280P7ATMA1, IPD系列

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包装方式:
RS 库存编号:
244-0946
制造商零件编号:
IPD80R280P7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPD

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET 系列非常适用于小功率 SMPS 应用,因为在性能、易用性和性价比方面它都满足市场要求。它主要用于反激型应用,包括转接器和充电器、LED 驱动器、音频 SMPS、AUX 和工业电源。 总体而言,它可以帮助客户节省零件成本和减少装配工作量。

280mΩ 同类最优 DPAK RDS(导通)

3V 同类最优 V (GS)th 和 ± 0.5V 的最小 V (GS)th 变化

高达 2 级 (HBM) 的集成齐纳二极管 ESD 保护

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