Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=52 A, 3针, TO-247, IMW系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
包装方式：
RS 库存编号:
248-6672
制造商零件编号:
IMW120R040M1HXKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

52A

最大漏源电压 Vd

75V

系列

IMW

包装类型

TO-247

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon CoolSiC 1200 V、40 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-3 封装，采用最先进的沟槽半导体工艺，是性能与可靠性的良好结合，包括在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和设备电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗。CoolSiC MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。

VDSS - T - 25°C 时为 1200 V

IDCC - T - 25°C 时为 55 A

RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 时为 39 MΩ

非常低的切换损耗

短路耐受时间 3 微秒

基准门限电压，VGS（th） - 4.2 V

对寄生性开启的稳健性，可应用 0V 的关断门电压

用于硬换向的稳健体二极管

XT 互连技术实现了同类最佳的热性能

相关链接