制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=75 A, 8针, ACEPACK 2, A2U系列

RS 库存编号:: 249-6719
制造商零件编号:: A2U12M12W2-F2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=75 A, 8针, ACEPACK 2, A2U系列

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36 - 36	RMB2,133.605	RMB38,404.89
54 +	RMB2,069.596	RMB37,252.73

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RS 库存编号:: 249-6719
制造商零件编号:: A2U12M12W2-F2
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	SiC 电源模块
	最大连续漏极电流 Id	75A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	系列	A2U
	包装类型	ACEPACK 2
	安装类型	底盘
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	17mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-40°C
	最大栅源电压 Vgs	18V
	正向电压 Vf	2.9V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	298nC
	最高工作温度	175°C
	晶体管配置	3 相
	标准/认证	UL
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 SiC 电源模块
	最大连续漏极电流 Id 75A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	系列 A2U
	包装类型 ACEPACK 2
	安装类型底盘
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 17mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -40°C
	最大栅源电压 Vgs 18V
	正向电压 Vf 2.9V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 298nC
	最高工作温度 175°C
	晶体管配置 3 相
	标准/认证 UL
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - A2U12M12W2-F2

STMicroelectronics 电源模块代表了 T 型 3 级逆变器拓扑结构的一个脚，它集成了先进的碳化硅 Power MOSFET 技术。此模块利用宽带隙 SiC 材料和高热性能基片的创新特性。结果每个单位区域的接通电阻极低，且切换性能出色，几乎不受温度影响。

3 级拓扑结构

ACEPACK 2 功率模块

13 mΩ 典型 RDS（接通）每个开关

绝缘电压 UL 认证为 2.5 kVrms

集成 NTC 温度传感器

DBC Cu-Al2O3-Cu 基

压配安装触点引脚

一个 NTC 传感器完善了设计

STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=75 A, 8针, ACEPACK 2, A2U系列

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