Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 0.68 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP316PH6327XTSA1, BSP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
250-0536
Distrelec 货号:
304-40-496
制造商零件编号:
BSP316PH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.68A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-223

系列

BSP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌制造的这款 SIPMOS、小信号-晶体管 P 沟道型、增强模式 mosfet。该器件具有dv/dt 等级、P 沟道型、增强模式晶体管被广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。

Vds 是 100 V，RDS（接通）是 1.8 Ω，Id 是 0.68 A

最大功耗为360 mW

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