Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=250 V, Id=100 mA, 3针, SOT-23, BSS系列
- RS 库存编号:
- 250-0543
- 制造商零件编号:
- BSS139H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 250-0543
- 制造商零件编号:
- BSS139H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | BSS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30000mΩ | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100mA | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 BSS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 30000mΩ | ||
通道模式 耗尽 | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌制造的 SIPMOS 小信号晶体管是 N 沟道型消耗模式小信号 MOSFET 晶体管，广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它具有 dv /dt 等级。它在卷筒上有VGS（th）指示灯。无卤无铅镀层。
无铅引线镀层
最大功耗为 360 mW
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